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武汉设计防爆设计产品

2019-11-22 11:32:01
武汉设计防爆设计产品

GB3836.1-2010《爆炸武汉防爆设计性环境 第1部分:设备 通用标准GB3836.3-2010《爆炸性环境 第3部分:由增安型“e”保护的设备》GB3836.4-2010《爆炸性环境 第4部分:由本质安全型“i”保护的设备》GB3836.9-2006《爆炸性环境 第9部分:浇封型“m”》IEC 60079-0-2011 Explosive atmospheres -- Part 0: Equipment -- General requirementsIEC 60079-7-2006 Explosive atmospheres - Part 7: Equipment protection by increased safety "e"IEC 60079-18-2009 Explosive atmospheres -- Part 18: Equipment protection by encapsulation "m"IEC 60079-11-2011 Explosive atmospheres -- Part 11: Equipment protection by intrinsic safety"i"《本质安全电路中的电隔离器件》陈向东 《煤炭科学技术》第24卷第7防爆设计产品期 1996年本产品开发设计过程中综合利用了多种防爆措施,本安论述中提出了能量网格化设计概念,在满足防爆要求同时最大限度地实现了功防爆设计产品能需求,达到了一体化设计的目的,在智能型防爆电气设计领域做出了一些有益的探索。

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2、防爆型式保护级别外壳内武汉防爆设计含点燃能力外壳内不含点燃能力Gb或MbPx型Py型 GcPz型不要求正压保护3、防护等级:IP4X(只带报警的Pz型IP3X),在潮湿和有煤尘的采掘工作面上要求IP44。4、外壳抗冲击能力:表12(只带报警的Pz型取半值)。防爆设计产品5、凡是炽热颗粒通过释放孔进入1区的,须加挡板。凡是进入2区的不做要求。对于Py既不允许内部部件,也不允许产生炽热颗粒。不产生炽热颗粒的不要求挡板。“e” 增安型:对电气设备采取一些附加措施,以提高安全程度,防止在正常运行或规定的异常条件防爆设计产品下产生危险温度、电弧和火花的可能性“nA” 无火花装置:结构上使正常使用条件下产生能引起点燃的电弧、火花的危险减少至最小的装置。

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防爆正压小屋自控部分调试1.调试前检查检查各部分是否完好无损,有无影响防爆性能等,接线是否正确(接控制电源:AC220V),手动阀是否打开。一切正常后方可进行调试。2.调试方法关门调试:在配置好气源后,接通电源。将进气阀完全武汉防爆设计打开,按下“启动”按钮,进气电磁阀打开,倒计时30分钟开始计时,进入换气状态。30分钟后换气结束,压力值大于100Pa时,传感器检测正压腔内压力值,并显示在系统窗口中,进气电磁阀关闭,通过电磁阀旁路节流阀给小屋内补气,使压力表值持续稳定在70-100Pa之间,即整小屋进入自动运行状态,同时给正压腔内“接触器”送电,主电路可送电进行正常工作,即调试完毕。在使用过程中,若压力降低,当压力值低于50Pa时,防爆警灯会报警,进入欠压报警状态,当进气故防爆设计产品障未排除,小屋内压力低于25Pa时,自控系统将切断正压腔主电源;系统将一直处于欠压报警状态(可通过按下“消音”按键解除);此为低压保护及电气联锁过程。当正压腔压力高于400Pa时,限压阀打开,经过一段时间,正压腔的内部气压逐渐下降,使防防爆设计产品爆小屋内压力限制在正常压力范围之内,阀门关闭,此过程为高压限制保护过程3.调试注意事项:防爆正压小屋出厂时,各参数已设定好,严禁用户擅自更改参数。用户在调试时请注意仪表、自控线路及取样管路的畅通。

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紧固件:特殊紧固件。细牙GB5780、GB5781不允许。只能依靠工具打开,一字螺钉不可用。I类有护圈或沉孔武汉防爆设计螺纹公差6H,孔H13中等公差。5、设备打开时间:内装电容器:将能量降低到一定值。内装热元件:温度降到温度组别。加标识“有爆炸性气体时切勿打开”; 6、电缆引入装置:与设备M或NPT。引入点的温度70,分支点的温度80,如果超过该温度说明电缆太细,须换粗一些的电缆,或在设备外部进行标识。Ex电缆引入装置按此温度进行试验。7、电机的补充:进风IP20、出风IP10。风扇与固定部分间距1/100直径,表面电阻。对于大电机,由于有杂散磁场会引起大电流,要有等电位连接。8、电池:原电池、蓄电池。9、防爆设计产品型式试验:温度测试、耐热耐寒、冲击、跌落、防护、热剧变、绝缘套管扭转试验、绝缘电阻试验、小元件点燃试验、I类耐化学试剂试验防爆设计产品、接地连续性、起电试验、电容测量。只有外壳试验有顺序,其余都是独立的。10、标注:Ex d e IIB T4 Gb、Ex d e px IIC T4 GbEx d [iaGa]IIC Gb

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